离子注入技术是指在半导体晶圆表面掺杂硼、磷和砷等离子，从而改变其电气特性和器件电导率，或使用非掺杂元素如锗、碳，达到修改晶圆材料表面性质的目标。离子源是离子注入机中最核心的部件，主要由各种钨、钼部件组成。离子注入行业对于杂质元素的要求是非常严苛的，任何杂质元素的超标都有可能导致离子注入材料的污染和失效，因此离子注入用钨材或钼材必须首先满足其对化学纯度的严格要求。另外，密度也是一项重要的性能参考指标，这是因为离子源中的钨材或钼材零部件，在使用过程中大多会受到电子的轰击或侵蚀。密度偏低会严重影响零部件的使用寿命。好的品质源于取材，Z6·尊龙凯时是国内较早实现工业化规模生产的半导体靶材级（纯度超5N）高纯钨钼粉末原料制造商，对于离子注入用钨钼部件，推荐客户使用4N或5N级高纯原料，经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。

离子注入用钨材及其成品零部件：使用4N或5N级高纯原料，经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。 

离子注入用钼材及其成品零部件：使用4N或5N级高纯原料，经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。